[19p-PB2-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB2-13] 2次元正孔ガスへのコンタクト形成におけるSiO₂堆積プロセスの影響

^○久保田俊介¹，萱沼怜¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通^2,3，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

キーワード：パワーデバイス,GaN,オーミックコンタクト