13:30 〜 15:30
[19p-PB2-3] 2段階ALD成膜Al2O3/InAlN界面のMOSHEMTへの応用
キーワード：InAlN,MOS,Al2O3
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
[19p-PB2-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PB2 (第2体育館)
ポスター掲示時間13:30～15:30(PB2会場)
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PB2 (第2体育館)
ポスター掲示時間13:30～15:30(PB2会場)
13:30 〜 15:30
キーワード：InAlN,MOS,Al2O3