[19p-PB2-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB2-8] 表面波プラズマを用いたシリコン系絶縁膜の化学気相堆積と窒化物半導体デバイスへの応用

^○岡田浩^1,2，川上恭平²，石丸貴博²，篠原正俊²，古川雅一³，若原昭浩^2,1，関口寛人² (豊橋技科大EIIRIS¹，豊橋技科大工²，アリエースリサーチ³)

キーワード：窒化物半導体,表面パッシベーション,化学気相堆積