Formation and control of wetting layer during the growth of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy

Neul Ha

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一般セッション(ポスター講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-PB5-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PB5 (第2体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PB5会場)

16:00 〜 18:00

▲ [19p-PB5-1] Formation and control of wetting layer during the growth of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy

^〇Neul Ha^1,2，Xiangming Liu¹，Takaaki Mano¹，Takashi Kuroda^1,2，Akihiro Ohtake¹，Kazutaka Mitsuishi¹，Takeshi Noda¹，Yoshiki Sakuma¹，Kazuaki Sakoda¹ (National Institute for Materials Science (NIMS)¹，Kyushu University²)

キーワード：InAs quantum dots,Droplet epitaxy