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一般セッション(ポスター講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-PB5-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PB5 (第2体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PB5会場)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-8] CaF₂基板上GaAs 薄膜のMBE 成長

^○村上達也¹，赤堀誠志¹，岩瀬比宇麻¹，日高志郎¹，山田省二¹，Rutt Harvey² (北陸先端大¹，Univ. of Southampton²)

キーワード：MBE,GaAs