[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PB6-16] Eu添加GaNを用いた選択成長によって形成した半極性面上におけるInGaN/GaN多重量子井戸の発光特性

^○児島貴徳¹，高野翔太¹，長谷川亮介¹，Dolf Timmerman¹，小泉淳¹，船戸充²，川上養一²，藤原康文¹ (阪大院工¹，京大院工²)

キーワード：選択成長,半極性,希土類