[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PB6-22] III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性

^○角谷正友^1,2，本田徹³，Liwen Sang¹，中野由崇⁴，長谷川文夫⁴ (物材機構¹，JST-ALCA²，工学院大³，中部大⁴)

キーワード：III-V nitride solar cell