[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PB6-5] RF-MBE法を用いたGaN成長が疑似Al基板に与える影響

^○（M2）大澤真弥¹，渡邉悠斗¹，尾沼猛儀^1,2，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，東京高専²)

キーワード：半導体,Al,GaN