16:00 〜 18:00
▼ [19p-PB6-7] Study on Homo-Epitaxial Growth of GaN by Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)
キーワード：ラジカル励起MOCVD,窒化ガリウム,ホモエピタキシャル成長
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶
2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PB6 (第2体育館)
ポスター掲示時間16:00～18:00(PB6会場)