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一般セッション(口頭講演)

08．プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング

[19p-S10-1~18] 8.4 プラズマエッチング

2014年9月19日(金) 14:15 〜 19:00 S10 (S10)

15:30 〜 15:45

[19p-S10-6] 誘導結合Cl₂プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析：パルスバイアスエッチングの効果

^○（D）中崎暢也，松本悠，江利口浩二，斧高一 (京大院工)

キーワード：Si etching,Inductively coupled Cl2 plasma,surface roughness