2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月20日(土) 09:30 〜 12:00 A10 (E214)

11:45 〜 12:00

[20a-A10-10] 導電性ブリッジメモリ(CB-RAM)におけるブリッジ形成機構の再考

○（M2C）榎本雄太郎1，岸田悟1,2，木下健太郎1,2 (鳥取大工1，TEDREC2)

キーワード：ReRAM,CB-RAM,フィラメント