[20a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-A10-6] 同一ReRAMフィラメントに対する抵抗スイッチング特性の電極材料依存性

^○高相圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：抵抗変化メモリ,AFM,Electrode material