[20a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-A10-8] NiO薄膜を用いた抵抗変化型メモリにおける2つのモードを有するフォーミング

^○篠倉弘樹，西佑介，岩田達哉，木本恒暢 (京大院工)

キーワード：抵抗変化型メモリ,抵抗変化型メモリ,酸化物薄膜