[20a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20a-A12-1] c面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の形成: 格子不整合系ヘテロエピタキシーにおける成長初期過程の表面形態の影響

^○板垣奈穂^1,2，井出智章¹，松島宏一¹，山下大輔¹，徐鉉雄¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，JSTさきがけ²)

キーワード：酸化亜鉛,スパッタリング,ヘテロエピタキシー