[20a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20a-A12-10] PARE法により作製したMg_xZn_1-xO:N/ZnOヘテロ接合のEL特性

^○中川玲¹，阿部貴美¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，小島勉¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

キーワード：酸化亜鉛,ZnO,MgZnO