[20a-A19-1~12] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20a-A19-12] ミニマルSi-CVDプロセスにおける膜厚分布の成長条件依存性

^○石田夕起^1,2，池田伸一^1,2，三ケ原孝則²，中戸克彦²，三浦典子²，羽深等³，ソマワン クンプアン^1,2，原史朗^1,2 (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²，横国大³)

キーワード：ミニマル,CVD,エピタキシャル