[20a-A25-6~13] 16.2 プロセス技術・デバイス

[20a-A25-6] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
メニスカス力を用いた中空構造SOI層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFTの作製

^○酒池耕平^1,2，赤澤宗樹¹，小林義崇¹，中村将吾¹，東清一郎^1,3 (広大院先端研¹，学振特別研究員 PD²，広大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所³)

キーワード：フレキシブル,転写,シリコン