講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

[20a-A27-1~10] 14.1 探索的材料物性

2014年9月20日(土) 09:00 〜 11:45 A27 (N302)

10:00 〜 10:15

[20a-A27-5] SPS法で作製したNi-Mg₂Si界面の断面TEM観察

^○菅原宏治¹，山崎由布紀¹，中村新一²，中村重之³，森嘉久⁴，財部健一⁴ (首都大SD¹，青山学院大²，津山高専³，岡山理科大⁴)

キーワード：magnesium silicide,interface,TEM