[20a-B1-1~8] 17.1 成長技術

△ [20a-B1-3] SiC上のカーボンナノチューブを下地としたカーボンナノチューブフォレストのクローニング成長

^○平野優¹，稲葉優文¹，渋谷恵¹，鈴木和真¹，李智宇¹，明道三穂¹，平岩篤¹，乗松航²，楠美智子²，川原田洋¹ (早大理工¹，名大エコトピア研²)

キーワード：カーボンナノチューブ,シリコンカーバイド