[20a-B3-1~7] 17.1 成長技術

△ [20a-B3-3] 薄膜硫化法によるMoxW1-xS2原子層の合成と評価

^○小林佑¹，森勝平¹，真庭豊¹，宮田耕充^1,2 (首都大院理工¹，JSTさきがけ²)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド,合成,原子層