[20a-PA2-1~11] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[20a-PA2-10] 電子線照射したSi_0.99C_0.01 S/D n-MOSFETに及ぼす熱処理の影響

^○堀眞聡¹，米岡将士¹，中島敏之²，Eddy Simoen³，Cor Claeys³，角田功¹，高倉健一郎¹ (熊本高専¹，中央電子工業²，imec³)

キーワード：MOSFET,電子線照射,熱処理