09:30 〜 11:30
[20a-PA3-7] Si(001)上のGaSbﾅﾉｺﾝﾀｸﾄ ﾍﾃﾛｴﾋﾟ成長とHfO2/GaSb MOS特性
キーワード：高移動度チャネル,ヘテロエピ成長,MOS界面
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
[20a-PA3-1~7] 13.2 絶縁膜技術
2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第1体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PA3会場)
一般セッション(ポスター講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第1体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PA3会場)
09:30 〜 11:30
キーワード：高移動度チャネル,ヘテロエピ成長,MOS界面