2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20p-A10-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月20日(土) 13:00 〜 15:00 A10 (E214)

13:30 〜 13:45

[20p-A10-3] n+およびp+-Si上に形成したCeOx/SiO2膜の抵抗変化特性

○（M1）杉浦みのり1，Mokhammad Hadi1，角嶋邦之2，片岡好則2，西山彰2，杉井信之2，若林整2，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大総理工2)

キーワード：memory,ReRAM,breakdown