[20p-A10-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20p-A10-6] 酸化タンタル膜の抵抗スイッチ現象におけるSET時間分布に対するRESET電圧の影響

^○西義史^1,2，Stephan Menzel¹，Karsten Fleck¹，Ulrich Boettger¹，Rainer Waser¹ (アーヘン工科大¹，東芝研開セ²)

キーワード：抵抗スイッチ,TaOx,RRAM