１．InP系エピタキシャル結晶: ・受光デバイス（フォトダイオード、太陽電池） ・発光デバイス（LED、端面発光レーザーEEL、面発光レーザーSEL）　・電子デバイス（HBT,HEMT)　２．InPフォトダイオード: ・格子整合inGaAs 吸収端1.7um サイズΦ100um～Φ3mm　 ・歪み系InGaAs 吸収端<2.6um　サイズΦ100um～Φ3mm　 ・4元素InGaAsP 吸収端1.45um サイズ Φ100um～Φ3mm　３.　InP マルチチャンネル　フォトダイオード: ・1次元アレイタイプ　2x64 2x128 ・2次元 64x64, 128x128