PDF ダウンロード スケジュール 27 いいね! 3 09:45 〜 10:00 △ [18a-E5-2] 熱力学および速度論的知見に基づく低界面欠陥密度4H-SiC(0001) MOSの実現 ○菊地リチャード平八郎1,喜多浩之1,2 (東大院工1,JST さきがけ2) キーワード:熱酸化膜,電気特性,SiC