[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-8] ハイドライド気相成長法による半極性面{11-22}GaNの転位・積層欠陥の低減

^○上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大工)

キーワード：半導体