[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-D8-7] GaN系HEMTのノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング

^○安藤彰浩¹，長田大和²，上村隆一郎²，分島彰男¹，江川孝志¹ (名工大¹，ULVAC²)

キーワード：GaN