シンポジウム(口頭講演)

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[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

2015年9月13日(日) 13:15 〜 18:15 1A (131+132)

座長:安藤淳(産総研),吹留博一(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[13p-1A-1] はじめに

〇島田敏宏¹ (1.北大院工)

13:30 〜 14:00

[13p-1A-2] 二硫化チタンTiS₂ナノシートの熱電変換への応用

〇河本邦仁¹、万春磊² (1.豊田理研、2.清華大)

14:00 〜 14:15

[13p-1A-3] 遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の熱電効果

〇金橋魁利¹、蒲江¹、Cuoug Nguyen Thanh²、Li Lain-Jong³、岡田晋⁴、太田裕道⁵、竹延大志^1,6 (1.早大先進、2.NIMS、3.KAUST、4.筑波大、5.北大電子研、6.早大材研)

14:15 〜 14:45

[13p-1A-4] 光電変換応用へ向けた原子層遷移金属ダイカルコゲナイドの光学的性質

〇毛利真一郎¹ (1.京都大学エネルギー理工学研究所)

14:45 〜 15:00

[13p-1A-5] 大面積WSe₂単層膜の電場・電荷変調発光分光

〇松木啓一郎¹、蒲江¹、小澤大知²、松田一成³、Lain-Jong Li⁴、竹延大志^1,5 (1.早大先進、2.JSPS、3.京大エネ研、4.KAUST、5.早大材研)

15:00 〜 15:15

[13p-1A-6] MoS₂薄片キャパシタを用いた揮発性有機化合物センシング

〇清水優¹、松竹直斗¹、樹大輔¹、田畑博史¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

休憩 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 16:00

[13p-1A-7] 遷移金属ダイカルコゲナイドの極薄ボディMOSFET応用

〇森貴洋¹、二之宮成樹^1,2、内田紀行¹、久保利隆¹、渡辺英一郎³、津谷大樹³、森山悟士³、田中正俊²、安藤淳¹ (1.産総研、2.横国院工、3.物材機構)

16:00 〜 16:15

[13p-1A-8] 遷移金属ダイカルコゲナイドα-MoTe₂のショットキー接合における注入キャリアの極性

〇中払周¹、山本真人¹、上野啓司²、林彦甫¹、黎松林¹、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.埼大院理)

16:15 〜 16:30

△ [13p-1A-9] WSe₂原子層の層数制御酸化

〇(PC)山本真人¹、中払周¹、上野啓司²、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.埼玉大院理工)

16:30 〜 16:45

[13p-1A-10] 遷移金属ダイカルコゲナイドへの電極接合に対する端の効果

〇野内亮¹ (1.阪府大N2RC)

16:45 〜 17:15

[13p-1A-11] スピントロニクス及び超伝導接合材料としての遷移金属ダイカルコゲナイド

〇町田友樹¹ (1.東大生研)

17:15 〜 17:30

△ [13p-1A-12] 化学気相蒸着法によるNbS₂結晶薄膜の作製

〇渡邉翔¹、翁夢婷¹、柳瀬隆²、長浜太郎³、島田敏宏³ (1.北大院総化、2.北大FCC、3.北大院工)

17:30 〜 17:45

[13p-1A-13] RO(F)BiS₂ (R:La,Ce,Pr,Nd)単結晶の組成制御とその評価

〇長尾雅則¹、三浦章²、綿打敏司¹、武井貴弘¹、高野義彦³、熊田伸弘¹、田中功¹ (1.山梨大院クリスタル研、2.北大、3.物材機構)

17:45 〜 18:00

△ [13p-1A-14] トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響

〇齊藤雄太¹、Fons Paul¹、KolobovA lexander V.¹、富永淳二¹ (1.産総研ナノエレ)

18:00 〜 18:15

[13p-1A-15] おわりに

〇上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

セッション情報

[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

[13p-1A-1] はじめに

[13p-1A-2] 二硫化チタンTiS₂ナノシートの熱電変換への応用

[13p-1A-3] 遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の熱電効果

[13p-1A-4] 光電変換応用へ向けた原子層遷移金属ダイカルコゲナイドの光学的性質

[13p-1A-5] 大面積WSe₂単層膜の電場・電荷変調発光分光

[13p-1A-6] MoS₂薄片キャパシタを用いた揮発性有機化合物センシング

[13p-1A-7] 遷移金属ダイカルコゲナイドの極薄ボディMOSFET応用

[13p-1A-8] 遷移金属ダイカルコゲナイドα-MoTe₂のショットキー接合における注入キャリアの極性

△ [13p-1A-9] WSe₂原子層の層数制御酸化

[13p-1A-10] 遷移金属ダイカルコゲナイドへの電極接合に対する端の効果

[13p-1A-11] スピントロニクス及び超伝導接合材料としての遷移金属ダイカルコゲナイド

△ [13p-1A-12] 化学気相蒸着法によるNbS₂結晶薄膜の作製

[13p-1A-13] RO(F)BiS₂ (R:La,Ce,Pr,Nd)単結晶の組成制御とその評価

△ [13p-1A-14] トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響

[13p-1A-15] おわりに

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セッション情報

[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

△ [13p-1A-9] WSe2原子層の層数制御酸化

△ [13p-1A-12] 化学気相蒸着法によるNbS2結晶薄膜の作製

△ [13p-1A-14] トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響

認証

△ [13p-1A-9] WSe₂原子層の層数制御酸化

△ [13p-1A-12] 化学気相蒸着法によるNbS₂結晶薄膜の作製