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[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月13日(日) 13:45 〜 19:15 2H (222)

座長:矢嶋赳彬(東大),藤原宏平(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

△ [13p-2H-1] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ構造の形成と特性評価

〇近江沙也夏¹、熊崎祐介¹、谷田部然治¹、佐藤威友¹ (1.北大量集セ)

14:00 〜 14:15

△ [13p-2H-2] 非接触原子間力顕微鏡を用いたLaAlO₃(100)表面の原子分解能測定

〇勝部大樹¹、高瀬勇太郎¹、山下隼人¹、阿保智¹、若家冨士男¹、阿部真之¹ (1.阪大院基礎工)

14:15 〜 14:30

△ [13p-2H-3] TiO₂(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

〇清水亮太¹、神坂英幸²、岩谷克也³、大澤健男⁴、白木将¹、長谷川哲也²、一杉太郎¹ (1.東北大AIMR、2.東大院理、3.理研、4.物材機構)

14:30 〜 14:45

△ [13p-2H-4] ルチル型TiO₂単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化

〇下谷将人¹、村上弘弥¹、竹内正太郎¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

14:45 〜 15:00

△ [13p-2H-5] Pt/TiO₂/PtおよびAg/TiO₂/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

〇栗山豊¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

15:00 〜 15:15

[13p-2H-6] Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

〇渡辺健太郎¹、前田佳輝¹、中本悠太¹、松井秀紀¹、竹内正太郎¹、酒井朗¹、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工)

15:15 〜 15:30

△ [13p-2H-7] エピタキシャルFe₃O_4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

〇前田佳輝¹、渡辺健太郎¹、中本悠太¹、松井秀紀¹、竹内正太郎¹、酒井朗¹、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工)

15:30 〜 15:45

△ [13p-2H-8] BaBiO₃/SrRuO₃ヘテロ構造におけるトポロジカルホール効果

〇大内祐貴¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、松野丈夫²、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

15:45 〜 16:00

△ [13p-2H-9] SrTiO₃界面の低キャリア領域における特異的なホール効果

〇佐藤洋平¹、土井聖将¹、小野瀬佳文¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

16:00 〜 16:15

△ [13p-2H-10] Sr_xBa_1-xPbO₃薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

〇宮川智樹¹、塩貝純一¹、塚崎敦^1,2 (1.東北大金研、2.JST さきがけ)

16:15 〜 16:30

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO₃バッファー層導入によるLa:BaSnO₃薄膜の移動度の向上

〇(M2)西原和貴¹、塩貝純一¹、塚﨑敦^1,2 (1.東北大金研、2.JST さきがけ)

休憩 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:00

△ [13p-2H-12] 5 V級正極材料Li(Ni_0.5Mn_1.5)O₄エピタキシャル薄膜を用いた全固体リチウム電池

〇河底秀幸¹、白木将¹、鈴木竜¹、清水亮太¹、白澤徹郎²、一杉太郎¹ (1.東北大 WPI-AIMR、2.東大物性研)

17:00 〜 17:15

△ [13p-2H-13] 新概念不揮発メモリ:固体酸化物Liイオン電解質を用いた電圧記憶素子

〇杉山一生¹、鈴木竜¹、清水亮太¹、白木将¹、一杉太郎¹ (1.東北大AIMR)

17:15 〜 17:30

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO₃薄膜の相変化とその空間分布

〇西早辰一¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、岩佐義宏^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大工、2.理研CEMS)

17:30 〜 17:45

△ [13p-2H-15] 斜方晶系GdScO₃基板に成膜したBaTiO₃薄膜の相転移挙動

〇小林俊介¹、加藤丈晴¹、平山司¹、幾原雄一^1,2、山本剛久^1,3 (1.JFCC、2.東大総研、3.名大工)

17:45 〜 18:00

△ [13p-2H-16] ペロブスカイト型Ti酸化物の金属-絶縁体転移における格子歪みの効果

〇(M1)岡部宏和¹、吉松公平¹、大島孝仁¹、大友明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

18:00 〜 18:15

△ [13p-2H-17] マルチフェロイックBiFe_1-xCo_xO₃薄膜のスピン構造変化

〇川邊諒¹、北條元¹、山本孟¹、清水啓佑¹、壬生攻²、東正樹¹ (1.東京工業大学応セラ、2.名工大工)

18:15 〜 18:30

△ [13p-2H-18] 強相関酸化物SrVO₃薄膜の金属絶縁体転移と電界効果

〇(M2)大友圭輔¹、河野駿介¹、佐藤洋平¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

18:30 〜 18:45

[13p-2H-19] マグネリ相Ti酸化物薄膜の超伝導

〇吉松公平¹、坂田修身^2,3、大友明^1,3 (1.東工大院理工、2.物質・材料研究機構、3.元素戦略)

18:45 〜 19:00

△ [13p-2H-20] γ-Ti₃O₅薄膜の超伝導

〇吉松公平¹、坂田修身^2,3、大友明^1,3 (1.東工大院理工、2.物質•材料研究機構、3.元素戦略)

19:00 〜 19:15

△ [13p-2H-21] Ti₂O₃エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導

〇(M1)黒川輝¹、吉松公平¹、大島孝仁¹、大友明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

セッション情報

[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-2H-1] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ構造の形成と特性評価

△ [13p-2H-2] 非接触原子間力顕微鏡を用いたLaAlO₃(100)表面の原子分解能測定

△ [13p-2H-3] TiO₂(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

△ [13p-2H-4] ルチル型TiO₂単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化

△ [13p-2H-5] Pt/TiO₂/PtおよびAg/TiO₂/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

[13p-2H-6] Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

△ [13p-2H-7] エピタキシャルFe₃O_4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

△ [13p-2H-8] BaBiO₃/SrRuO₃ヘテロ構造におけるトポロジカルホール効果

△ [13p-2H-9] SrTiO₃界面の低キャリア領域における特異的なホール効果

△ [13p-2H-10] Sr_xBa_1-xPbO₃薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO₃バッファー層導入によるLa:BaSnO₃薄膜の移動度の向上

△ [13p-2H-12] 5 V級正極材料Li(Ni_0.5Mn_1.5)O₄エピタキシャル薄膜を用いた全固体リチウム電池

△ [13p-2H-13] 新概念不揮発メモリ:固体酸化物Liイオン電解質を用いた電圧記憶素子

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO₃薄膜の相変化とその空間分布

△ [13p-2H-15] 斜方晶系GdScO₃基板に成膜したBaTiO₃薄膜の相転移挙動

△ [13p-2H-16] ペロブスカイト型Ti酸化物の金属-絶縁体転移における格子歪みの効果

△ [13p-2H-17] マルチフェロイックBiFe_1-xCo_xO₃薄膜のスピン構造変化

△ [13p-2H-18] 強相関酸化物SrVO₃薄膜の金属絶縁体転移と電界効果

[13p-2H-19] マグネリ相Ti酸化物薄膜の超伝導

△ [13p-2H-20] γ-Ti₃O₅薄膜の超伝導

△ [13p-2H-21] Ti₂O₃エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導

認証

セッション情報

[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-2H-1] 電気化学堆積法による Cu2O/InP ヘテロ構造の形成と特性評価

△ [13p-2H-2] 非接触原子間力顕微鏡を用いたLaAlO3(100)表面の原子分解能測定

△ [13p-2H-3] TiO2(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

△ [13p-2H-4] ルチル型TiO2単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化

△ [13p-2H-5] Pt/TiO2/PtおよびAg/TiO2/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

[13p-2H-6] Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

△ [13p-2H-7] エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

△ [13p-2H-8] BaBiO3/SrRuO3ヘテロ構造におけるトポロジカルホール効果

△ [13p-2H-9] SrTiO3界面の低キャリア領域における特異的なホール効果

△ [13p-2H-10] SrxBa1-xPbO3薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO3バッファー層導入によるLa:BaSnO3薄膜の移動度の向上

△ [13p-2H-12] 5 V級正極材料Li(Ni0.5Mn1.5)O4エピタキシャル薄膜を用いた全固体リチウム電池

△ [13p-2H-13] 新概念不揮発メモリ:固体酸化物Liイオン電解質を用いた電圧記憶素子

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO3薄膜の相変化とその空間分布

△ [13p-2H-15] 斜方晶系GdScO3基板に成膜したBaTiO3薄膜の相転移挙動

△ [13p-2H-16] ペロブスカイト型Ti酸化物の金属-絶縁体転移における格子歪みの効果

△ [13p-2H-17] マルチフェロイックBiFe1-xCoxO3薄膜のスピン構造変化

△ [13p-2H-18] 強相関酸化物SrVO3薄膜の金属絶縁体転移と電界効果

[13p-2H-19] マグネリ相Ti酸化物薄膜の超伝導

△ [13p-2H-20] γ-Ti3O5薄膜の超伝導

△ [13p-2H-21] Ti2O3エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導

認証

△ [13p-2H-1] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ構造の形成と特性評価

△ [13p-2H-2] 非接触原子間力顕微鏡を用いたLaAlO₃(100)表面の原子分解能測定

△ [13p-2H-3] TiO₂(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

△ [13p-2H-4] ルチル型TiO₂単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化

△ [13p-2H-5] Pt/TiO₂/PtおよびAg/TiO₂/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

△ [13p-2H-7] エピタキシャルFe₃O_4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

△ [13p-2H-8] BaBiO₃/SrRuO₃ヘテロ構造におけるトポロジカルホール効果

△ [13p-2H-9] SrTiO₃界面の低キャリア領域における特異的なホール効果

△ [13p-2H-10] Sr_xBa_1-xPbO₃薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO₃バッファー層導入によるLa:BaSnO₃薄膜の移動度の向上

△ [13p-2H-12] 5 V級正極材料Li(Ni_0.5Mn_1.5)O₄エピタキシャル薄膜を用いた全固体リチウム電池

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO₃薄膜の相変化とその空間分布

△ [13p-2H-15] 斜方晶系GdScO₃基板に成膜したBaTiO₃薄膜の相転移挙動

△ [13p-2H-17] マルチフェロイックBiFe_1-xCo_xO₃薄膜のスピン構造変化

△ [13p-2H-18] 強相関酸化物SrVO₃薄膜の金属絶縁体転移と電界効果

△ [13p-2H-20] γ-Ti₃O₅薄膜の超伝導

△ [13p-2H-21] Ti₂O₃エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導