[14a-2B-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2015年9月14日(月) 09:30 〜 12:15 2B (211-2)

座長:今北健二(神戸大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 09:45

△ [14a-2B-1] VGF法成長によるSiドープGaAsバルクのスピン緩和の観測

〇大木俊介¹、浅川将輝¹、石川友樹¹、竹内淳¹ (1.早大先進理工)

09:45 〜 10:00

〇明井祐人¹、野村譲¹、高山純一¹、木場隆之²、山村隆文¹、山崎大樹¹、Agus Subagyo¹、末岡和久¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学、2.北見工大)

10:00 〜 10:15

〇(B)鈴木雅之¹、佐藤慶介¹、平栗健二¹ (1.東京電機大)

10:15 〜 10:30

〇石井真史¹、Crowe Iain²、Halsall Matthew²、Knights Andrew³、Gwilliam Russell⁴、Hamilton Bruce² (1.物材機構、2.Univ. Manchester、3.McMaster Univ.、4.Univ. Surrey)

休憩 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

〇(M1)岩出和也¹、児玉拓海¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

11:00 〜 11:15

〇弓達新治¹、小山裕生¹、宮田晃¹、白方祥¹ (1.愛媛大工)

11:15 〜 11:30

〇高津潤一¹、山中柊平¹、松田将明¹、小泉淳¹、児島貴徳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

11:30 〜 11:45

〇石井真史¹、小泉淳²、藤原康文² (1.物材機構、2.阪大工)

11:45 〜 12:00

〇石井真史¹、小泉淳²、藤原康文² (1.物材機構、2.阪大工)

12:00 〜 12:15

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)