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[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

2015年9月14日(月) 09:15 〜 12:15 2N (224-2(北側))

座長:臼杵達哉(PETRA),竹中充(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[14a-2N-1] LEDとSi太陽電池を近接対向させただけの新型電流増幅デバイス

〇岡本研正¹、黒田伸仁¹ (1.LBCコーポレーション)

09:30 〜 09:45

▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO₂ Single Quantum Wells

〇(B)Cassia Azevedo¹, Yuki Miyata¹, Yasunori Nakamukai¹, Yasushi Osikane¹, Kentaro Kawai¹, Kenta Arima¹, Mizuho Morita¹ (1.Osaka Univ.)

09:45 〜 10:00

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substrate
for Mid-Infrared Photonics

〇(D)Jian Kang^1,2, Xiao Yu^1,2, Mitsuru Takenaka^1,2, Shinichi Takagi^1,2 (1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST)

10:00 〜 10:15

[14a-2N-4] GOIマイクロディスクにおけるHigh-Q値共振フォトルミネセンス

〇橋本秀明¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

10:15 〜 10:30

[14a-2N-5] 中空ゲルマニウム十字構造を用いた２軸性伸張歪の増強

〇石田悟己¹、加古敏^1,2、小田克矢³、岩本敏^1,2、荒川泰彦^1,2 (1.東大生研・先端研、2.東大ナノ量子機構、3.日立研開)

休憩 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

△ [14a-2N-6] n型ドーピングされたＧｅ導波路の光伝搬特性

〇奥村忠嗣¹、小田克矢¹、葛西淳一¹、佐川みすず¹、諏訪雄二¹ (1.日立研開)

11:00 〜 11:15

[14a-2N-7] 時間分解発光法を用いたSi上Ge成長膜の両極性拡散係数の評価

〇加古敏^1,2、石田悟己¹、小田克矢³、荒川泰彦^1,2 (1.東大生研・先端研、2.東大ナノ量子機構、3.日立研開)

11:15 〜 11:30

[14a-2N-8] 円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入

〇安武裕輔^1,2、太野垣健^3,4、大川洋平¹、矢口裕之⁵、金光義彦³、深津晋¹ (1.東大院総合、2.JSTさきがけ、3.京大化研、4.産総研、5.埼玉大院理工)

11:30 〜 11:45

[14a-2N-9] GE-PON向けバットジョイントGe-PIN-PD

〇小野英輝¹、下山峰史¹、奥村滋一¹、今井雅彦¹、八重樫浩樹¹ (1.PETRA)

11:45 〜 12:00

[14a-2N-10] Ge選択成長におけるSiO₂マスク上への横方向成長促進

〇(M2)八子基樹¹、水野泰孝¹、河合直行¹、和田一実¹ (1.東大院工)

12:00 〜 12:15

[14a-2N-11] 選択成長Siキャップ層適用低暗電流Ge受光器の開発

〇奥村滋一¹、木下啓藏¹、藤方潤一¹、下山峰史¹、小野英輝¹、田中有¹、森戸健¹、堀川剛¹、最上徹¹ (1.PETRA)

セッション情報

[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-2N-1] LEDとSi太陽電池を近接対向させただけの新型電流増幅デバイス

▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO₂ Single Quantum Wells

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substrate
for Mid-Infrared Photonics

[14a-2N-4] GOIマイクロディスクにおけるHigh-Q値共振フォトルミネセンス

[14a-2N-5] 中空ゲルマニウム十字構造を用いた２軸性伸張歪の増強

△ [14a-2N-6] n型ドーピングされたＧｅ導波路の光伝搬特性

[14a-2N-7] 時間分解発光法を用いたSi上Ge成長膜の両極性拡散係数の評価

[14a-2N-8] 円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入

[14a-2N-9] GE-PON向けバットジョイントGe-PIN-PD

[14a-2N-10] Ge選択成長におけるSiO₂マスク上への横方向成長促進

[14a-2N-11] 選択成長Siキャップ層適用低暗電流Ge受光器の開発

認証

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▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO2 Single Quantum Wells

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substratefor Mid-Infrared Photonics

△ [14a-2N-6] n型ドーピングされたＧｅ導波路の光伝搬特性

認証

▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO₂ Single Quantum Wells

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substrate
for Mid-Infrared Photonics