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[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:45 2H (222)

座長:吉松公平(東工大),打田正輝(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[14p-2H-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Eu_1-xLa_xTiO₃薄膜の希薄キャリア領域制御と異常ホール・トポロジカルホール効果

〇村田智城¹、高橋圭²、打田正輝¹、小塚裕介¹、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

14:00 〜 14:15

[14p-2H-2] SrIrO₃-SrRuO₃における界面誘起トポロジカルホール効果

〇松野丈夫¹、小川直毅¹、川﨑雅司^1,2、十倉好紀^1,2 (1.理研CEMS、2.東大工)

14:15 〜 14:30

[14p-2H-3] パイロクロア型Ir酸化物薄膜の磁気ドメイン形成における格子歪の効果

〇(D)藤田貴啓¹、小川翔平¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

14:30 〜 14:45

[14p-2H-4] 二段階PLD法によるSi添加α-Fe₂O₃薄膜の形成と電気・磁気特性の制御

〇関宗俊¹、石田丈¹、那須英和¹、Sathe Ameya¹、村田哲也¹、川辺駿佑¹、山原弘靖¹、田畑仁¹ (1.東大工)

14:45 〜 15:00

[14p-2H-5] 急速熱処理還元法で作製した熱酸化Si基板上のFe₃O₄薄膜の電気および磁気伝導特性

〇藤田晃久¹、小堀裕己¹、山崎篤志¹、谷口年史²、清水哲夫³ (1.甲南大理工、2.阪大院理、3.産総研ナノテク)

15:00 〜 15:15

[14p-2H-6] LuFe_5-2xCo_xSi_xO₁₂ガーネット薄膜におけるスピングラス磁性

〇山原弘靖¹、那須英和¹、村田哲也¹、足立真輝¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

15:15 〜 15:30

[14p-2H-7] Nd₃Fe₅O₁₂ガーネット薄膜における格子歪み効果とその磁気特性

〇那須英和¹、足立真輝¹、山原弘靖¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大工)

15:30 〜 15:45

[14p-2H-8] 水素ドープSrFeO₂における、ドープサイトと金属伝導性の関係についての第一原理計算

〇倉内裕史¹、神坂英幸^1,2、片山司¹、近松彰^1,2、長谷川哲也^1,2,3 (1.東大院理、2.JST-CREST、3.KAST)

休憩 (15:45 〜 16:00)

16:00 〜 16:15

[14p-2H-9] TiO₂-VO₂系における異原子価(Al³⁺,Nb⁵⁺)ドーピングのスピノーダル分解に及ぼす効果

〇尾形誠¹、村岡祐治¹、横谷尚睦¹ (1.岡山大院自然科学)

16:15 〜 16:30

[14p-2H-10] PLD法で作製したV₂O₃薄膜の相転移特性とc/a軸長比

〇坂井穣¹、リムレットパトリス¹、舟窪浩² (1.トゥール大GREMAN、2.東工大総理工)

16:30 〜 16:45

[14p-2H-11] プレーナー型サイドゲートを用いた電界効果によるVO₂ナノワイヤーの電気伝導変調

〇(M1)近成将¹、神吉輝夫¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

16:45 〜 17:00

▲ [14p-2H-12] Electric-field induced transport modulation in VO₂ FETs with organic parylene-C/high-k oxide hybrid gate dielectric

〇TINGTING WEI^1,2, Teruo Kanki¹, Kohei Fujiwara³, Hidekazu Tanaka¹ (1.Osaka Univ., 2.Kunming Sci Tech Univ., 3.Tohoku Univ.)

17:00 〜 17:15

[14p-2H-13] VO₂チャネルトランジスタのゲート電場に対する時間応答

〇矢嶋赳彬^1,2、西村知紀^1,2、鳥海明^1,2 (1.東京大学、2.JST-CREST)

17:15 〜 17:30

[14p-2H-14] A-siteが変位する強磁性強誘電体：La₂NiMnO₆薄膜

〇高橋竜太¹、大久保勇男^1,2、山内邦彦³、北村未歩¹、桜井康成¹、尾嶋正治¹、小口多美夫^3,4、長康雄⁵、リップマーミック¹ (1.東大、2.NIMS、3.阪大産研、4.JST-CREST、5.東北大通研)

17:30 〜 17:45

[14p-2H-15] 秩序相SrRu_0.5Cr_0.5O₃エピタキシャル薄膜の作製および電子状態評価

〇山田佳補¹、近松彰^1,2、重松圭^2,3、簑原誠人⁴、組頭広志⁴、長谷川哲也^1,2,3 (1.東大院理、2.JST-CREST、3.KAST、4.KEK-IMSS)

セッション情報

[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Eu_1-xLa_xTiO₃薄膜の希薄キャリア領域制御と異常ホール・トポロジカルホール効果

[14p-2H-2] SrIrO₃-SrRuO₃における界面誘起トポロジカルホール効果

[14p-2H-3] パイロクロア型Ir酸化物薄膜の磁気ドメイン形成における格子歪の効果

[14p-2H-4] 二段階PLD法によるSi添加α-Fe₂O₃薄膜の形成と電気・磁気特性の制御

[14p-2H-5] 急速熱処理還元法で作製した熱酸化Si基板上のFe₃O₄薄膜の電気および磁気伝導特性

[14p-2H-6] LuFe_5-2xCo_xSi_xO₁₂ガーネット薄膜におけるスピングラス磁性

[14p-2H-7] Nd₃Fe₅O₁₂ガーネット薄膜における格子歪み効果とその磁気特性

[14p-2H-8] 水素ドープSrFeO₂における、ドープサイトと金属伝導性の関係についての第一原理計算

[14p-2H-9] TiO₂-VO₂系における異原子価(Al³⁺,Nb⁵⁺)ドーピングのスピノーダル分解に及ぼす効果

[14p-2H-10] PLD法で作製したV₂O₃薄膜の相転移特性とc/a軸長比

[14p-2H-11] プレーナー型サイドゲートを用いた電界効果によるVO₂ナノワイヤーの電気伝導変調

▲ [14p-2H-12] Electric-field induced transport modulation in VO₂ FETs with organic parylene-C/high-k oxide hybrid gate dielectric

[14p-2H-13] VO₂チャネルトランジスタのゲート電場に対する時間応答

[14p-2H-14] A-siteが変位する強磁性強誘電体：La₂NiMnO₆薄膜

[14p-2H-15] 秩序相SrRu_0.5Cr_0.5O₃エピタキシャル薄膜の作製および電子状態評価

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[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [14p-2H-12] Electric-field induced transport modulation in VO2 FETs with organic parylene-C/high-k oxide hybrid gate dielectric

認証

▲ [14p-2H-12] Electric-field induced transport modulation in VO₂ FETs with organic parylene-C/high-k oxide hybrid gate dielectric