[14p-CE-1~4] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 13:00 〜 14:15 CE (センチュリーホール)

座長:荒木努(立命大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:00 〜 13:15

[14p-CE-1] [講演奨励賞受賞記念講演] SiC基板上にPAMBE成長したAlN層の成長初期III/V比による貫通転位発生メカニズムの考察

〇金子光顕¹、木本恒暢¹、須田淳¹ (1.京大院工)

13:15 〜 13:30

〇佐々木拓生¹、出来亮太²、高橋正光^1,2 (1.原子力機構、2.兵庫県立大)

13:30 〜 13:45

〇臼田知志¹、小村一樹¹、荒浪誠生¹、荒木努¹、名西憓之¹ (1.立命館大理工)

13:45 〜 14:00

〇今野裕太¹、林宏暁¹、鈴木拓良¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク研究センタ)

休憩 (14:00 〜 14:15)