一般セッション(口頭講演)

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[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月15日(火) 13:45 〜 17:15 2L (2Ｆラウンジ2)

座長:藤沢浩訓(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

△ [15p-2L-1] 斜方晶Sc_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

〇浜嵜容丞¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東工大応セラ研)

14:00 〜 14:15

[15p-2L-2] 新規非鉛強誘電体Bi₂ZnTi_1-xMn_xO₆薄膜の育成

〇富永健¹、北條元¹、清水啓祐¹、松田奈瑠美¹、東正樹¹ (1.東工大応セラ)

14:15 〜 14:30

[15p-2L-3] {100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

〇山田智明^1,2、伊藤大介¹、坂田修身^3,4、黒石隼輝⁵、生津資大⁵、清水荘雄⁴、舟窪浩⁴、吉野正人¹、長崎正雅¹ (1.名古屋大、2.JSTさきがけ、3.物質・材料研究機構、4.東工大、5.兵庫県立大)

14:30 〜 14:45

[15p-2L-4] (100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO₃膜におけるドメイン構造に及ぼす温度と格子歪みの影響

〇舟窪浩¹、中島崇明¹、一ノ瀬大地¹、江原祥隆¹、中島光雅¹、清水荘雄¹、小林健²、飯島高志²、山田智明^3,4 (1.東工大、2.産総研、3.名大、4.PRESTO)

14:45 〜 15:00

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

〇一ノ瀬大地¹、中島祟明¹、江原祥隆¹、清水荘雄¹、坂田修身^2,3、山田智明^4,5、舟窪浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.SPring-8、4.名大、5.PRESTO)

15:00 〜 15:15

[15p-2L-6] Pb(Hf,Ti)O₃薄膜の作製と組成依存性評価

〇西尾正悟¹、黒川文弥¹、辻浦裕一¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神大院工)

15:15 〜 15:30

[15p-2L-7] XRD測定による (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

〇舟窪浩¹、大島直也¹、清水荘雄¹、中島光雅¹、江原祥隆¹、及川貴弘¹、内田寛² (1.東工大、2.上智大)

休憩 (15:30 〜 15:45)

15:45 〜 16:00

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製

〇片山きりは¹、清水荘雄²、木口賢紀³、赤間章裕³、今野豊彦³、内田寛⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.東北大金研、4.上智大理工、5.物質・材料研究機構)

16:00 〜 16:15

[15p-2L-9] 斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜のドメイン構造

〇清水荘雄¹、片山きりは²、木口賢紀³、赤間章裕³、今野豊彦³、内田寛⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2 (1.東工大元素、2.東工大総理工、3.東北大金研、4.上智大理工、5.物材機構)

16:15 〜 16:30

[15p-2L-10] BiFe_1-XZn_X/2Ti_X/2O₃エピタキシャル膜のスパッタ成長と熱的安定性

〇(M2)小寺大喜¹、熊谷卓哉¹、京兼広和¹、横田壮司¹、五味學¹ (1.名工大)

16:30 〜 16:45

[15p-2L-11] PLD法を用いたYbFe₂O₄薄膜成長時の組成変動に関する研究

〇樫本涼¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

16:45 〜 17:00

[15p-2L-12] 電気磁気エピタキシャルCr₂O₃/LiNbO₃多層膜における磁気誘電特性

〇横田壮司¹、坪井泉名¹、平松和樹¹、五味学¹ (1.名工大)

17:00 〜 17:15

[15p-2L-13] UV/O₃加熱処理による溶液プロセスPb(Zr,Ti)O₃膜の低温作製

〇田頭裕己¹、ファンチョントゥエ^1,2、志村礼司郎¹、佐藤啓介^1,3、深田和宏^1,2、李金望¹、下田達也^1,2、高村禅^1,2 (1.北陸先端大、2.JST-CREST、3.JSR(株))

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[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-2L-1] 斜方晶Sc_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

[15p-2L-2] 新規非鉛強誘電体Bi₂ZnTi_1-xMn_xO₆薄膜の育成

[15p-2L-3] {100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

[15p-2L-4] (100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO₃膜におけるドメイン構造に及ぼす温度と格子歪みの影響

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

[15p-2L-6] Pb(Hf,Ti)O₃薄膜の作製と組成依存性評価

[15p-2L-7] XRD測定による (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製

[15p-2L-9] 斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜のドメイン構造

[15p-2L-10] BiFe_1-XZn_X/2Ti_X/2O₃エピタキシャル膜のスパッタ成長と熱的安定性

[15p-2L-11] PLD法を用いたYbFe₂O₄薄膜成長時の組成変動に関する研究

[15p-2L-12] 電気磁気エピタキシャルCr₂O₃/LiNbO₃多層膜における磁気誘電特性

[15p-2L-13] UV/O₃加熱処理による溶液プロセスPb(Zr,Ti)O₃膜の低温作製

認証

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[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-2L-1] 斜方晶ScxFe2-xO3エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO2基薄膜の作製

認証

△ [15p-2L-1] 斜方晶Sc_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製