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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 13:30 〜 19:15 2R (231-2)

座長:立岡浩一(静岡大),鵜殿治彦(茨城大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[15p-2R-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Na–Al–Sn系新規化合物の合成と結晶構造および熱電特性

〇菅野雅博¹、山田高広¹、山根久典¹、永井秀明² (1.東北大多元研、2.産総研)

13:45 〜 14:00

[15p-2R-2] W内包Siクラスターを単位構造とするシリサイド半導体薄膜のCVD形成

〇岡田直也^1,2、内田紀行²、金山敏彦² (1.JSTさきがけ、2.産総研)

14:00 〜 14:15

[15p-2R-3] サファイア基板上に合成したII型Geクラスレート膜の光学的評価

萬條寛之¹、向井哲也¹、鈴木涉太¹、〇大橋史隆¹、伴隆幸¹、久米徹二¹、野々村修一¹ (1.岐大工)

14:15 〜 14:30

[15p-2R-4] 動的な歪み印加によるp型シリコンウェハの異常な電気特性

〇鶴田一樹¹、美藤正樹¹、田尻恭之²、片宗優貴³、吉武剛³ (1.九工大工、2.福大理、3.九大総理工)

14:30 〜 14:45

▲ [15p-2R-5] Damage free neutral beam texturing of honeycomb pattern for the application of light trapping in Si Solar cells

〇(P)Halubai Sekhar¹, Hitoshi Sai², Aiko Sato³, Mohammad Maksudur Rahman⁴, Tomohiro Kubota⁴, Seiji Samukawa^4,5, Hidetaka Takato¹, Michio Kondo¹ (1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST, Japan, 2.RCPV, Tsukuba, AIST, Japan, 3.Fukushima University, Japan, 4.Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan, 5.WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)

14:45 〜 15:00

[15p-2R-6] ナノアモルファス窒化炭素粒子の高圧高温処理による新規物質合成

〇安井望¹、寒川匡哉¹、平井正明¹、山本薫¹、財部健一¹、岡田卓²、山崎大輔³、小島洋平⁴、大藤弘明⁴、國次真輔⁵、澤畠淳二⁶ (1.岡山理大理、2.東大物性研、3.岡大地球研、4.愛媛大GRC、5.岡山県工技、6.茨城高専)

15:00 〜 15:15

[15p-2R-7] Ga添加ZnOナノワイヤの発光特性

〇中根孝弥¹ (1.豊橋技科大)

15:15 〜 15:30

[15p-2R-8] 強磁性半導体に向けたMn添加ZnO薄膜の評価

〇那須菜穂¹、張宇¹、趙新為¹ (1.東理大理)

15:30 〜 15:45

[15p-2R-9] Liイオンダイナミクスを利用した新規電圧記憶型メモリの開発

〇杉山一生¹、鈴木竜¹、清水亮太¹、白木将¹、一杉太郎¹ (1.東北大AIMR)

15:45 〜 16:00

[15p-2R-10] 時間依存波束伝播法を用いた歪みグラフェンの量子ダイナミクスシミュレーション

〇迫田翔太郎¹、笹岡健二¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

16:00 〜 16:15

[15p-2R-11] 開放系シュレーディンガー方程式を用いた歪みアームチェア型グラフェンナノリボンの時間依存電気伝導特性の解析

〇(M1)加藤大喜¹、笹岡健二¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神大院工)

休憩 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

△ [15p-2R-12] 第一原理計算によるBaSi₂(011)/(011)双晶粒界・界面構造についての考察

〇馬場正和¹、香山正憲²、都甲薫¹、末益崇^1,3 (1.筑波大院数理、2.産総研、3.JST-CREST)

16:45 〜 17:00

[15p-2R-13] In-situ MoO_xキャップを施したBaSi₂エピタキシャル膜の電気/光学特性評価

〇武内大樹¹、Du Weijie¹、高部涼太¹、都甲薫¹、原康祐²、宇佐美徳隆^3,4、末益崇^1,4 (1.筑波大学院、2.山梨大学、3.名古屋大学、4.JST-CREST)

17:00 〜 17:15

[15p-2R-14] DLTS法によるboron doped p-BaSi₂膜中の欠陥準位評価

〇武内大樹¹、Du Weijie¹、高部涼太¹、都甲薫¹、末益崇^1,2 (1.筑波大学院、2.JST-CREST)

17:15 〜 17:30

[15p-2R-15] 硬X線光電子分光法による自然酸化膜/BaSi₂のバンドオフセット測定

〇高部涼太¹、伊藤啓太^1,2,3、Du Weijie¹、都甲薫¹、上田茂典⁴、木村昭夫⁵、末益崇^1,6 (1.筑波大、2.日本学術振興会、3.東北大、4.NIMS、5.広島大、6.JST-CREST)

17:30 〜 17:45

[15p-2R-16] Ge(111)基板上BaSi₂エピタキシャル膜の分光感度特性

〇高部涼太¹、馬場正和¹、Du Weijie¹、原康祐²、都甲薫¹、宇佐美徳隆^3,4、末益崇^1,4 (1.筑波大、2.山梨大、3.名古屋大、4.JST-CREST)

17:45 〜 18:00

[15p-2R-17] アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi₂薄膜の電気特性制御

〇原康祐^1,2、Du Weijie³、有元圭介¹、山中淳二¹、中川清和¹、都甲薫³、末益崇^2,3、宇佐美徳隆^2,4 (1.山梨大クリスタル研、2.JST-CREST、3.筑波大院数理物質、4.名大院工)

18:00 〜 18:15

[15p-2R-18] 真空蒸着法で作製したBaSi₂膜の面方位の形成メカニズムの検討

〇(M2)中川慶彦¹、原康祐^2,3、黒川康良¹、末益崇^3,4、宇佐美徳隆^1,3 (1.名大院工、2.山梨大クリスタル研、3.JST-CREST、4.筑波大)

18:15 〜 18:30

[15p-2R-19] 真空共蒸着法によるBaSi₂薄膜の形成と評価

〇佐々木敦也¹、佐々木亮人¹、片岡好則¹、青木克明¹、齊藤秀一¹、小林薫平¹ (1.東芝マテリアル)

18:30 〜 18:45

[15p-2R-20] BaSi₂エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル解析

〇山口陽己¹、尾方済人¹、塚本裕明¹、末益崇²、寺井慶和^1,3 (1.鹿児島大理工、2.筑波大数理物質、3.九工大情報工)

18:45 〜 19:00

[15p-2R-21] BaSi₂エピタキシャル膜の光変調反射スペクトル

〇塚本裕明¹、山口陽己¹、山﨑一輝³、末益崇²、寺井慶和^1,3 (1.鹿児島大理工、2.筑波大数理物質、3.九工大情報工)

19:00 〜 19:15

[15p-2R-22] Ba_1-xSr_xSi₂の結晶構造とエネルギーギャップ

〇今井基晴¹、松下能孝¹ (1.物材機構)

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