16:00 〜 18:00
〇古林 寛1、種平 貴文2、米盛 敬2、瀬尾 宣英2、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.マツダ(株)技術研)
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2015年9月15日(火) 16:00 〜 18:00 PA4 (イベントホール)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
16:00 〜 18:00
〇古林 寛1、種平 貴文2、米盛 敬2、瀬尾 宣英2、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.マツダ(株)技術研)
16:00 〜 18:00
〇小川 雄己1、鎌倉 良成2、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.阪大院工)
16:00 〜 18:00
〇(M1)對馬 広隆1、工藤 嗣友2、菅原 文彦1 (1.東北学院大工、2.神奈川工科大)
16:00 〜 18:00
Yamasaki Takahiro1,2、〇Tajima Nobuo1,2,4、Kaneko Tomoaki1,2、Nara Jun1,2、Schimizu Tatsuo3、Kato Kouichi3、Ohno Takahisa1,2,4 (1.NIMS、2.MARCEED、3.Toshiba R&D Center、4.Univ. of Tokyo)
16:00 〜 18:00
〇(PC)Halubai Sekhar1, Yasuhiro Kida1, Mohammad Maksudur Rahman2, Tomohiro Kubota2, Seiji Samukawa2,3, Hidetaka Takato1, Michio Kondo1 (1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST, Japan, 2.Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan, 3.WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)
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