一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 1A (131+132)

座長:土方泰斗(埼玉大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-1A-1] ウェット酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子状態評価

〇渡辺浩成¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

09:15 〜 09:30

[16a-1A-2] ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少

笹子知弥¹、荒井仁¹、喜多浩之²、室隆桂之³、〇野平博司¹ (1.東京都市大工、2.東京大学工学系研究科、3.(公財)高輝度光科学研究センター)

09:30 〜 09:45

△ [16a-1A-3] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明

〇荒井仁¹、野平博司¹ (1.東京都市大工)

09:45 〜 10:00

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO₂/SiC界面評価技術の検討

〇茅根慎通¹、小杉亮治²、田中保宣³、原田信介²、奥村元²、長康雄¹ (1.東北大、2.産総研、3.内閣府)

10:00 〜 10:15

[16a-1A-5] 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化

〇石丸凌輔¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

10:15 〜 10:30

[16a-1A-6] 容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解

〇藤野雄貴¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

休憩 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

△ [16a-1A-7] SiC-MOSゲート酸化膜形成における超高温酸化の検討

〇永井大介¹、染谷満²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

11:00 〜 11:15

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO₂/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

〇(P)Atthawut Chanthaphan¹, Yen Hung Cheng¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

11:15 〜 11:30

△ [16a-1A-9] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成

〇勝義仁¹、チャンタパンアタウット¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

11:30 〜 11:45

[16a-1A-10] 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果

〇三友啓^1,2、松田拓磨^1,2、村田航一^1,2、横関貴史^1,2、牧野高紘²、武山昭憲²、小野田忍²、大島武²、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、土方泰斗¹ (1.埼玉大学理工研、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

11:45 〜 12:00

[16a-1A-11] 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価

〇松田拓磨^1,2、横関貴史^1,2、三友啓^1,2、村田航一^1,2、牧野高紘²、武山昭憲²、小野田忍²、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、大島武²、土方泰斗¹ (1.埼玉大学、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

セッション情報

[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-1] ウェット酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子状態評価

[16a-1A-2] ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少

△ [16a-1A-3] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO₂/SiC界面評価技術の検討

[16a-1A-5] 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化

[16a-1A-6] 容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解

△ [16a-1A-7] SiC-MOSゲート酸化膜形成における超高温酸化の検討

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO₂/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

△ [16a-1A-9] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成

[16a-1A-10] 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果

[16a-1A-11] 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価

認証

セッション情報

[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-1] ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価

[16a-1A-2] ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少

△ [16a-1A-3] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO2/SiC界面評価技術の検討

[16a-1A-5] 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化

[16a-1A-6] 容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解

△ [16a-1A-7] SiC-MOSゲート酸化膜形成における超高温酸化の検討

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO2/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

△ [16a-1A-9] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成

[16a-1A-10] 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果

[16a-1A-11] 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価

認証

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△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO₂/SiC界面評価技術の検討

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO₂/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas