[16a-2L-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 2L (2Ｆラウンジ2)

座長:飯島高志(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-2L-1] RFスパッタリング法並びにスピンコート法を用いたPZT膜の圧電特性

〇木島健¹、濱田泰彰¹、秦健次郎¹、本多祐二¹ (1.ユーテック中研)

09:15 〜 09:30

[16a-2L-2] (001)高配向PZT膜の圧電特性の非対称性

木島健¹、〇濱田泰彰¹、秦健次郎¹、本多祐二¹ (1.ユーテック中研)

09:30 〜 09:45

[16a-2L-3] RFスパッタリング法並びにスピンコート法を用いたPZT成膜装置

〇秦健次郎¹、木島健¹、濱田泰彰¹、本多祐二¹ (1.ユーテック中研)

09:45 〜 10:00

[16a-2L-4] (K,Na)NbO₃薄膜の絶縁耐圧および経時破壊（TDDB）特性

〇柴田憲治¹、渡辺和俊¹、堀切文正¹ (1.（株）サイオクス)

10:00 〜 10:15

[16a-2L-5] SNDMプローブによる線形誘電率分布の新規測定法を用いた誘電体薄膜の評価

〇平永良臣¹、茅根慎通¹、廣瀬光太郎¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

10:15 〜 10:30

△ [16a-2L-6] 正圧電効果による強誘電ドメインの観察

〇苅谷健人¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

休憩 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

[16a-2L-7] 水素結合型有機強誘電体薄膜の作製と局所分極構造の評価

〇(PC)野田祐樹^1,2、山田寿一¹、賀川史敬^2,3、小林賢介⁴、熊井玲児^2,4、堀内佐智雄^1,2、長谷川達生^1,2,5 (1.産総研 FLEC、2.JST-CREST、3.理研CEMS、4.KEK物構研PF、5.東大工)

11:00 〜 11:15

[16a-2L-8] 圧電MEMS振動発電素子の高出力化の検討

〇(M2)荒牧正明¹、苅谷健人¹、吉村武¹、村上修一²、藤村紀文¹ (1.阪府院工、2.阪府産技研)

11:15 〜 11:30

[16a-2L-9] ステンレス基板上PZT薄膜の光誘起ひずみ効果

〇佐段田温朗¹、大地優平¹、黒川文弥¹、辻浦裕一¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神大院工)

11:30 〜 11:45

[16a-2L-10] 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討Ⅱ

〇松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

11:45 〜 12:00

[16a-2L-11] 転移温度付近における磁気／電気熱量効果の微視的理論

〇本美仁志¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史¹、岡村総一郎¹ (1.東理大理)

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