[16a-4A-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

2015年9月16日(水) 09:15 〜 11:45 4A (431-1)

座長:大矢剛嗣(横国大),真島豊(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:15 〜 09:30

[16a-4A-1] GaAsナノワイヤFETを用いたポルフィリン系分子電荷状態検出の検討

〇岡本翔真¹、黒田亮太¹、葛西誠也¹ (1.北大量集センター)

09:30 〜 09:45

〇西口克彦¹、小野行徳²、藤原聡¹ (1.NTT物性研、2.富山大学)

09:45 〜 10:00

〇東康男¹、大沼悠人¹、坂本雅典²、寺西利治²、真島豊¹ (1.東工大応セラ、2.京大化研)

10:00 〜 10:15

〇(M1)田中歩¹、小林竜介¹、辻道尚貴¹、島田宏¹ (1.電通大先進理工)

10:15 〜 10:30

〇岡田憲昂¹、加瀬将¹、伊藤光樹¹、白樫淳一¹ (1.東京農工大学院工)

休憩 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

〇内藤泰久¹、衛慶碩²、石田敬雄² (1.産総研ナノエレ、2.産総研ナノ材料)

11:00 〜 11:15

〇(M1)佐藤秀亮¹、金丸祐真¹、加藤木悠¹、白樫淳一¹ (1.東京農工大院工)

11:15 〜 11:30

〇吉田健治¹、平川一彦^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

11:30 〜 11:45

〇柴田憲治^1,2、吉田健治²、南谷俊樹¹、平川一彦² (1.東北工大、2.東大生産研・ナノ量子機構)