[16p-2T-1~7] 17.2 構造制御・プロセス

2015年9月16日(水) 13:00 〜 14:45 2T (232)

座長:日比野浩樹(関西学院大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:00 〜 13:15

△ [16p-2T-1] SiC(000-1)上B₄C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの創製

〇(M2)増森淳史¹、乗松航¹、楠美智子^1,2 (1.名大院工、2.名大エコ)

13:15 〜 13:30

〇(M2)萬木成彰¹、若家冨士男¹、阿保智¹、山下隼人¹、阿部真之¹、高井幹夫¹ (1.阪大院基礎工)

13:30 〜 13:45

〇Golap Kalita¹、Papon Remi¹、Thangaraja Amutha¹、種村眞幸¹ (1.名工大工)

13:45 〜 14:00

〇(D)屠宇迪¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

14:00 〜 14:15

〇内藤勝之¹、吉永典裕¹、赤坂芳浩¹ (1.東芝研究開発センター)

14:15 〜 14:30

〇(DC)藤原美帆¹、小川峻²、井上凌介²、渡邊賢司³、谷口尚³、篠原久典¹、宮田耕充^2,4 (1.名大院理、2.首都大理工、3.物材機構、4.JSTさきがけ)

14:30 〜 14:45

〇井上凌介¹、真庭豊¹、宮田耕充^1,2 (1.首都大理工、2.JSTさきがけ)