一般セッション(口頭講演)

[13p-2U-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2015年9月13日(日) 13:45 〜 16:00 2U (233)

座長:宮田耕充(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[13p-2U-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 単層カーボンナノチューブを用いた室温・通信波長帯域でのフォトンアンチバンチング測定

〇遠藤匠¹、早瀬潤子¹、牧英之¹ (1.慶大理工)

14:00 〜 14:15

[13p-2U-2] 直径，結晶性に依存したカーボンナノチューブの電気伝導特性

〇西浦憲¹、徳富淳一郎¹、藤岡正弥²、田中将嗣²、高野義彦² (1.矢崎総業、2.物材機構)

14:15 〜 14:30

[13p-2U-3] 硫黄原子鎖内包単層カーボンナノチューブの電気的特性

〇(D)繆滌霏^1,2、新ケ谷義隆²、樋口倫太郎²、藤森利彦³、長岡克己²、金子克美³、中山知信^1,2 (1.筑波大院数理物質科学、2.物材機構WPI-MANA、3.信州大工)

14:30 〜 14:45

[13p-2U-4] 蛍光イメージング分光法を用いた単層カーボンナノチューブ表面上での水分子吸着脱離過程の観察

〇吉野数基¹、加藤高士¹、山口元太¹、千足昇平²、本間芳和¹ (1.東理大理、2.東大工)

14:45 〜 15:00

[13p-2U-5] 水内包単層カーボンナノチューブの蛍光スペクトルの温度依存性

〇(M1)加藤高士¹、吉野数基¹、山口元太¹、千足昇平²、本間芳和¹ (1.東理大理、2.東大工)

15:00 〜 15:15

[13p-2U-6] 単一構造(9,4) SWCNTを用いた高効率近赤外生体イメージング

〇蓬田陽平¹、張民芳²、湯田坂雅子¹、魏小均¹、田中丈士¹、片浦弘道¹ (1.産総研ナノ材料、2.産総研ナノチューブ)

15:15 〜 15:30

[13p-2U-7] 固体NMR分光法による水酸化カーボンナノチューブのプロトンダイナミクスに関する研究

〇佐野喜章¹、緒方啓典^1,2 (1.法政大院理工、2.法政大マイクロ・ナノテク研)

15:30 〜 15:45

[13p-2U-8] Fe-N-ナノグラフェン修飾カーボンナノチューブ触媒の合成と酸素還元能評価

〇保田諭¹、古谷アトム¹、内堀揚介¹、村越敬¹ (1.北大院理)

15:45 〜 16:00

[13p-2U-9] 単一カーボンナノコイルの電気特性評価と電気特性とコイル径の関係

〇中村康史¹、須田善行¹、針谷達¹、滝川浩史¹、植仁志²、島弘幸³ (1.豊技大工、2.東海カーボン、3.山梨大医工)

一般セッション(口頭講演)

[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2015年9月15日(火) 13:45 〜 18:30 2T (232)

座長:根岸良太(阪大),野内亮(大阪府立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

△ [15p-2T-1] グラフェンナノギャップ電極を用いた分子デバイスの作製

〇生田昂¹、丹波俊輔¹、金井康¹、小野尭生¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、家裕隆¹、安蘇芳雄¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

14:00 〜 14:15

△ [15p-2T-2] たんぱく質吸着によるグラフェンのアンビポーラ特性変化

〇ＭｕｌｙａｎａＹａｎａ¹、上沼睦典¹、岡本尚文¹、石河泰明¹、山下一郎¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

14:15 〜 14:30

△ [15p-2T-3] 高移動度グラフェンnpn接合を用いたエッジチャネル干渉系の実現

〇森川生¹、増渕覚¹、守谷頼¹、渡邊賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.東大ナノ量子)

14:30 〜 14:45

[15p-2T-4] 絶縁基板上グラフェンの高電界電子輸送特性

〇平井秀樹¹、土屋英昭¹、小川真人¹ (1.神戸大工)

14:45 〜 15:00

[15p-2T-5] グラフェンマイクロリボンの遠赤外透過・反射・吸収スペクトル

〇鈴木哲¹、高村真琴¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

15:00 〜 15:15

[15p-2T-6] 斜入射先端増強ラマン分光法を用いたグラフェンナノリボンの観察

〇奥野義人¹、Sanpon Vantasin²、田中義人³、In-Sang Yang⁴、中田靖¹、尾崎幸洋²、中庸行¹ (1.堀場製作所、2.関西学院大学理工、3.東大生産技術研、4.梨花女子大学)

15:15 〜 15:30

[15p-2T-7] 窒素ドープジグザググラフェンナノリボンの磁性

〇内田優希^1,2、赤石暁^1,2、中村淳^1,2 (1.電通大院先進理工、2.JST-CREST)

15:30 〜 15:45

[15p-2T-8] 酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性

〇(M1)松山治薫^1,2、市川諒英^1,2、赤石暁^1,2、中村淳^1,2 (1.電通大院先進理工、2.JST-CREST)

15:45 〜 16:00

△ [15p-2T-9] 銅インターカレーションしたSiC(0001)上グラフェンのTEM観察

〇(M2)今井雅人¹、乗松航¹、楠美智子^1,2 (1.名大院工、2.名大エコ)

休憩（16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[15p-2T-10] グラフェン層成長により合成した多層グラフェンナノリボンの
キャリア伝導における温度依存解析

〇山元克真¹、根岸良太¹、田中啓文³、福森稔²、小川琢治²、松本和彦⁴、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.阪大院理、3.九工大院、4.阪大産研)

16:30 〜 16:45

▲ [15p-2T-11] Conductance through the carbon dioxides molecules in the vertically stacked graphene electrodes: First principles study

〇Manoharan Muruganathan¹, Takuo Chikuba¹, Jian Sun¹, Hiroshi Mizuta^1,2 (1.JAIST, 2.Univ. of Southampton)

16:45 〜 17:00

[15p-2T-12] 欠陥導入によるグラフェンの熱電特性への影響

〇安野裕貴¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大院工)

17:00 〜 17:15

[15p-2T-13] グラフェン表面の水の層構造

〇赤石暁^1,2、中村淳^1,2 (1.電通大院先進理工、2.JST-CREST)

17:15 〜 17:30

▲ [15p-2T-14] Effect of controlled isotropic strain on the electrical resistance of suspended graphene

〇(M2)QIAO LI^1,2, Yoshitaka Shingaya¹, Daiju Tsuya³, Tomonobu Nakayama^1,2 (1.MANA,NIMS, 2.Tsukuba Univ., 3.NIMS FB)

17:30 〜 17:45

[15p-2T-15] プラズマを用いた表面処理によるグラフェンの仕事関数制御

〇赤田圭史¹、小幡誠司¹、斉木幸一朗¹ (1.東大院新領域)

17:45 〜 18:00

[15p-2T-16] SiC上グラフェン量子ドットの作製と特性評価

〇(M1)中野さつき¹、乗松航¹、楠美智子^1,2 (1.名大院工、2.名大エコ)

18:00 〜 18:15

[15p-2T-17] 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる4H-SiC(000\bar{1})上グラフェンの観察

〇山末耕平¹、吹留博一¹、舩窪一智¹、末光眞希¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

18:15 〜 18:30

[15p-2T-18] 炭素ドープh-BNの電子状態計算

Xie Wei¹、柳瀬隆¹、長浜太郎¹、〇島田敏宏¹ (1.北大・工)

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