[13a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13a-1C-6] アモルファスシリコン細線の大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化による粒内欠陥の低減

〇森崎 誠司¹、中谷 太一¹、新 良太¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：薄膜トランジスタ、結晶成長、熱プラズマジェット

マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)照射によるアモルファスシリコン(a-Si)細線の高速横方向結晶化(HSLC)により、Σ3対応粒界(CSL)を除く結晶粒界(GBs)が抑制された。高速走査(v)により溶融シリコンの到達温度とそれによる凝集を抑制することで、細線内の粒内欠陥が顕著に抑制された。v = 1500 mm/sで最適化したHSLC条件により、薄膜トランジスタ(TFT)は電界効果移動度(µ_FE)443 cm²/Vsの高性能を示した。