[13a-1D-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-1D-11] Band gap modulation of hexagonal AlN by an electric field

〇Yuichi Ota¹ (1.TIRI)

Keywords:AlN,First principles calculation

窒化アルミニウム(AlN)はウルツ鉱構造を持つ半導体と知られているが、最近グラファイト状のh-AlNが報告された。この構造は窒化ホウ素(h-BN)と同じ結晶構造であり、外部電場によるバンドギャップ変調が可能であると考えられる。そこで本研究では第一原理計算によって外部電場によるh-AlNのバンドギャップ変調が可能かを検証した。