[13a-1D-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13a-1D-5] Low Ohmic contact resistance V-based electrode for high AlN molar fraction n-type AlGaN

〇kazuki mori¹, toshiki kusafuka¹, motoaki iwaya¹, tetsuya Takeuchi¹, satoshi kamiyama¹, isamu akasaki^1,2, hiroshi amano^2,3 (1.Meijo univ., 2.Akasaki Res. Cen., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconducter,n type AlGaN,n type electrode

n型AlGaNにおける接触比抵抗の低減は、DUV-LEDにおけるWPEの向上のために必須である。前回の春季応用物理学学術講演会において、V/Al/Ni/Au電極が有用であると報告した。特に3層目に用いるNiが効果的であり、V/Al/V/Au電極に比べ著しい改善が確認できた。本検討では、この3層目に用いる金属の最適化を行ったので、その結果について報告する。