[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-1D-5] バナジウム系電極による高AlNモル分率n型AlGaNのとの低接触比抵抗の検討

〇森 一喜¹、草深 敏匡¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,2、天野 浩^2,3 (1.名城大、2.赤崎記念研究センター、3.名古屋大)

キーワード：半導体、n型AlGaN、n型電極

n型AlGaNにおける接触比抵抗の低減は、DUV-LEDにおけるWPEの向上のために必須である。前回の春季応用物理学学術講演会において、V/Al/Ni/Au電極が有用であると報告した。特に3層目に用いるNiが効果的であり、V/Al/V/Au電極に比べ著しい改善が確認できた。本検討では、この3層目に用いる金属の最適化を行ったので、その結果について報告する。