[13a-1G-1~10] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

△ [13a-1G-4] Raman study of the hole accumulation at NPD/Alq₃ interfaces of fresh and aged organic light-emitting diodes

〇(M1)Yuusaku Karatsu¹, Yukio Furukawa¹, Hajime Okumoto^2,3, Takayuki Miyamae^2,3, Tetsuo Tsutsui² (1.Waseda Univ., 2.CEREBA, 3.AIST)

Keywords:charge accumulation at interface,Raman spectroscopy,device aging process

積層型有機ELでは有機層/有機層界面において電荷が蓄積され，この蓄積電荷は有機ELの動作や劣化と関連していると考えられている．我々は差ラマン分光法を用いて，発光・電子移動層であるAlq₃の膜厚の変化や素子の駆動による界面蓄積電荷の変化について分子レベルで検討した．Alq₃の膜厚が薄くなる，あるいは駆動劣化が進むにつれて蓄積電荷の生成の始まる電圧値が正方向にシフトすることを突き止めた．