2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.2 材料・機器光学

[13a-2A-1~10] 3.2 材料・機器光学

2015年9月13日(日) 09:00 〜 11:45 2A (211-1)

座長:尾下 善紀(ニコン),片山 龍一(福岡工大)

10:30 〜 10:45

[13a-2A-6] 融解によるInSbの光学応答変化の第一原理計算

〇佐野 陽之1、水谷 五郎2 (1.石川高専、2.北陸先端大)

キーワード:誘電率、相変化、第一原理計算

InSbは超解像光ディスクの機能層材料として用いられている。本研究では、結晶及び液体状態のInSbの第一原理計算を行い、電子状態と光学誘電率を求めた。融解によってフェルミ準位付近の状態密度が増大し、バンドギャップが消失した。その結果として光学応答が半導体的から金属的に変化した。3.06eVでの光学吸収は融解によって増大するが、これは2eV以下の光学遷移の増大に起因すると考えられる。