[13a-2Q-1~13] 6.4 Thin films and New materials

△ [13a-2Q-8] Development of the pulsed laser liquid phase epitaxy process for high quality SiC films

〇(M1)Ryo Yamaguchi¹, Aomi Onuma¹, Shingo Maruyama¹, Takeshi Mitani², Tomohisa Kato², Hajime Okumura², Yuji Matsumoto^1,3 (1.Tohoku Univ., 2.AIST, 3.JST-ALCA)

Keywords:SiC,semiconductor,epitaxy

SiC薄膜作製の新しい手法として、本来温度勾配を結晶成長の駆動力とするフラックス法に、パルスレーザー堆積(PLD)法による気相原料供給を組み合わせ、濃度勾配を結晶成長の駆動力とするパルスレーザー液相エピタキシーを提案した。今回は、この新たな手法を可能にするパルスレーザー液相エピタキシー装置を立ち上げ、最も単純なSiのみからなるフラックスを用いて、本手法の有効性を検討した結果について報告する。