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[13a-2R-4] 黒リンの常圧における単結晶育成とその物性評価
キーワード:黒リン、単結晶
黒リンはゼロギャップであるグラフェンと異なり直接遷移型バンドギャップを持つ次世代電子材料として期待されている。また圧力下で半導体―金属転移が起こり、バンド反転によるトポロジカルな電子状態の発現も予測され基礎物性も興味深い。
これまで黒リンは高圧合成が主流であったが、我々は超高圧発生装置を必要としない合成報告に着目した。本研究では、常圧下における結晶育成法の最適化と得た単結晶の物性評価を行った。
これまで黒リンは高圧合成が主流であったが、我々は超高圧発生装置を必要としない合成報告に着目した。本研究では、常圧下における結晶育成法の最適化と得た単結晶の物性評価を行った。